გამაძლიერებლის ტიპი: Voltage Feedback, სქემების რაოდენობა: 2, Slew Rate: 870V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 410MHz, -3db გამტარობა: 1.05GHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Variable Gain, სქემების რაოდენობა: 1, გამოყვანის ტიპი: Differential, Rail-to-Rail, Slew Rate: 1500V/µs, -3db გამტარობა: 150MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: J-FET, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 170V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 79.9MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Variable Gain, სქემების რაოდენობა: 1, -3db გამტარობა: 500MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Variable Gain, სქემების რაოდენობა: 1, -3db გამტარობა: 800MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: General Purpose, სქემების რაოდენობა: 4, გამოყვანის ტიპი: Rail-to-Rail, Slew Rate: 7.5V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 5.5MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: J-FET, სქემების რაოდენობა: 4, Slew Rate: 9V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 3.5MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: J-FET, სქემების რაოდენობა: 2, გამოყვანის ტიპი: Rail-to-Rail, Slew Rate: 5V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 5MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Voltage Feedback, სქემების რაოდენობა: 2, გამოყვანის ტიპი: Rail-to-Rail, Slew Rate: 225V/µs, -3db გამტარობა: 170MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: General Purpose, სქემების რაოდენობა: 4, გამოყვანის ტიპი: Rail-to-Rail, Slew Rate: 4.6V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 15.9MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Voltage Feedback, სქემების რაოდენობა: 2, გამოყვანის ტიპი: Rail-to-Rail, Slew Rate: 53V/µs, -3db გამტარობა: 69MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: General Purpose, სქემების რაოდენობა: 4, Slew Rate: 0.15V/µs, -3db გამტარობა: 800kHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Variable Gain, სქემების რაოდენობა: 1, გამოყვანის ტიპი: Differential, Slew Rate: 5000V/µs, -3db გამტარობა: 630MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Instrumentation, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 2.5V/µs, -3db გამტარობა: 650kHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: General Purpose, სქემების რაოდენობა: 4, Slew Rate: 2.7V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 12MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Current Feedback, სქემების რაოდენობა: 2, Slew Rate: 1000V/µs, -3db გამტარობა: 650MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Instrumentation, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 1.2V/µs, -3db გამტარობა: 1MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Current Feedback, სქემების რაოდენობა: 4, Slew Rate: 3000V/µs, -3db გამტარობა: 250MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: J-FET, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 20V/µs, -3db გამტარობა: 4MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Instrumentation, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 1.2V/µs, -3db გამტარობა: 800kHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: J-FET, სქემების რაოდენობა: 2, გამოყვანის ტიპი: Rail-to-Rail, Slew Rate: 3V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 3.5MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Voltage Feedback, სქემების რაოდენობა: 2, გამოყვანის ტიპი: Rail-to-Rail, Slew Rate: 35V/µs, -3db გამტარობა: 80MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: J-FET, სქემების რაოდენობა: 4, Slew Rate: 20V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 5MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Voltage Feedback, სქემების რაოდენობა: 4, გამოყვანის ტიპი: Rail-to-Rail, Slew Rate: 225V/µs, -3db გამტარობა: 180MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Instrumentation, სქემების რაოდენობა: 3, Slew Rate: 2V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 1MHz, -3db გამტარობა: 1.2MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: General Purpose, სქემების რაოდენობა: 1, გამოყვანის ტიპი: Rail-to-Rail, Slew Rate: 0.17V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 400kHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Isolation, სქემების რაოდენობა: 1, გამოყვანის ტიპი: Differential, -3db გამტარობა: 200kHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Isolation, სქემების რაოდენობა: 2, გამოყვანის ტიპი: Differential, -3db გამტარობა: 200kHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Isolation, სქემების რაოდენობა: 1, გამოყვანის ტიპი: Differential, -3db გამტარობა: 100kHz,
